5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 包装说明： | SOP, SOT-223 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE |
| 驱动器位数： | 1 | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 长度： | 6.5 mm |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 输出电流流向： | SOURCE | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOT-223 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.8 mm | 子类别： | Peripheral Drivers |
| 最大供电电压： | 5.5 V | 最小供电电压： | 3.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 2.3 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 3.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VNL5160N3TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET III fully protected low-side driver |
|
| VNL5160S5-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET III fully protected low-side driver |
|
| VNL5160S5TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
单通道低侧智能电源开关 |
|
| VNL5300S5-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
具有数字状态的单通道LSD |
|
| VNLD5090-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET III全保护下桥臂驱动器 |
|
| VNLD5160-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET III全保护下桥臂驱动器 |
|
| VNLD5300-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET III全保护下桥臂驱动器 |
|
| VNN1NV04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
|
| VNN1NV0413TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
|
| VNN1NV04P-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
