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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | ISOWATT220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-XSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 输出电流流向： | SINK |
| 标称输出峰值电流： | 5 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 断开时间： | 5 µs |
| 接通时间： | 0.25 µs | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VND5N07FM | STMICROELECTRONICS |
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?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
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| VND5N07TR-E | STMICROELECTRONICS |
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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VND5T016ASP-E | STMICROELECTRONICS |
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for car body applications |
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| VND5T016ASPTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于24V汽车应用 |
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| VND5T035AK-E | STMICROELECTRONICS |
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for car body applications |
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| VND5T035AKTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Double channel high-side driver with analog current sense for 24 V automotive applications |
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| VND5T035LAK-E | STMICROELECTRONICS |
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for car body applications |
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| VND5T035LAKTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于24V汽车应用 |
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| VND5T050AK-E | STMICROELECTRONICS |
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for car body applications |
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| VND5T050AKTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Double channel high-side driver with analog current sense for 24 V automotive applications |
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