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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 22页 | 368K |  |
| 描述 | ||
| OMNIFET：全自动保护功率MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | TO-252, |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 20 weeks | 风险等级： | 1.6 |
| 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 6.5 mm | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 输出电流流向： | SINK | 标称输出峰值电流： | 5 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TO-252 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 座面最大高度： | 2.63 mm |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 2.28 mm | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 断开时间： | 5 µs |
| 接通时间： | 0.25 µs | 宽度： | 6.1 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| VND5N07 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VND5N07FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
|
| VND5N07FM | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
|
| VND5N07TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VND5T016ASP-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
for car body applications |
|
| VND5T016ASPTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于24V汽车应用 |
|
| VND5T035AK-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
for car body applications |
|
| VND5T035AKTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Double channel high-side driver with analog current sense for 24 V automotive applications |
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| VND5T035LAK-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
for car body applications |
|
| VND5T035LAKTR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于24V汽车应用 |
|
| VND5T050AK-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
for car body applications |
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