VND1NV04-E

更新时间： 2024-10-28 07:05:19

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路
页数	文件大小	规格书
33页	535K
描述
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VND1NV04-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	TO-252,	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	长度：	6.5 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	2	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	1.7 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TO-252	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.63 mm
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	2.25 mm
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
断开时间：	5.5 µs	接通时间：	1 µs
宽度：	6.1 mm	Base Number Matches：	1

VND1NV04-E 数据手册

VND1NV04

VNN1NV04 - VNS1NV04

OMNIFET II

fully autoprotected Power MOSFET

Features

Parameter

Symbol Value

Max on-state resistance (per ch.)

Current limitation (typ)

R_ON

I_LIMH

250 mΩ

1.7 A

TO-252 (DPAK)

Drain-source clamp voltage

V_CLAMP

40 V

■ Linear current limitation

■ Thermal shutdown

■ Short circuit protection

■ Integrated clamp

SOT-223

SO-8

Description

■ Low current drawn from input pin

■ Diagnostic feedback through input pin

■ ESD protection

The VND1NV04, VNN1NV04, VNS1NV04 are

monolithic devices designed in

STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology,

intended for replacement of standard Power

MOSFETs from DC up to 50 KHz applications.

Built in thermal shutdown, linear current limitation

and overvoltage clamp protect the chip in harsh

environments.

■ Direct access to the gate of the Power

MOSFET (analog driving)

■ Compatible with standard Power MOSFET

Fault feedback can be detected by monitoring the

voltage at the input pin.

Table 1.

Device summary

Order codes

Package

Tube

Tube (lead free)

Tape and reel

Tape and reel (lead free)

TO-252 (DPAK)

SOT-223

VND1NV04

VNN1NV04

VNS1NV04

VND1NV04-E

VND1NV04TR

VNN1NV04TR

VNS1NV04TR

VND1NV04TR-E

SO-8

April 2009

Doc ID 7381 Rev 2

1/33

www.st.com

12 3 4 5 6 7...33

中文翻译

下载PDF

VND1NV04-E 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VND1NV0413TR	STMICROELECTRONICS	类似代替	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE
VND1NV04	STMICROELECTRONICS	类似代替	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE

与VND1NV04-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VND1NV04TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND3NV04	STMICROELECTRONICS	获取价格	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE
VND3NV04-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE
VND3NV0413TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND3NV04-1-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND3NV04-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND3NV04TR-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND5004A-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	Double 4mヘ high side driver with analog curre
VND5004ASP30-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	Double 4mヘ high side driver with analog curre
VND5004ASP30TR-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	Double 4mヘ high side driver with analog curre

与VND1NV04-E相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

12
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

12
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

39
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VND1NV04-E

VND1NV04-E 技术参数

VND1NV04-E 数据手册

VND1NV04-E 替代型号

与VND1NV04-E相关器件

与VND1NV04-E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VND1NV04-E

VND1NV04-E 技术参数

VND1NV04-E 数据手册

VND1NV04-E 替代型号

与VND1NV04-E相关器件

与VND1NV04-E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？