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VND14NV0413TR

更新时间： 2024-10-27 22:15:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路
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29页	510K
描述
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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VND14NV0413TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
长度：	6.5 mm	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	2
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	18 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TO-252
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.63 mm	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	2.25 mm	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	断开时间：	25 µs
接通时间：	4.5 µs	宽度：	6.1 mm
Base Number Matches：	1

VND14NV0413TR 数据手册

VNB14NV04/VND14NV04

/VND14NV04-1/VNP14NV04/VNS14NV04

“OMNIFET II”:

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

TYPE

clamp

DS(on)

lim

VNB14NV04

VND14NV04

VND14NV04-1

VNP14NV04

VNS14NV04

TO-252 (DPAK)

SO-8

35 mΩ

12 A

40 V

TO-220¹

TO-251 (IPAK)

■ LINEAR CURRENT LIMITATION

■ THERMAL SHUT DOWN

■ SHORT CIRCUIT PROTECTION

■ INTEGRATED CLAMP

D PAK

■ LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN

■ DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT

ORDER CODES

TUBE

PACKAGE

T&R

D PAK

VNB14NV04

VNB14NV0413TR

■ ESD PROTECTION

TO-252 (DPAK) VND14NV04

TO-251 (IPAK) VND14NV04-1

VND14NV0413TR

■ DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE

POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)

TO-220

SO-8

VNP14NV04

VNS14NV04

■ COMPATIBLE WITH STANDARD POWER

MOSFET

DESCRIPTION

applications. Built in thermal shutdown, linear

current limitation |and overvoltage clamp protect

the chip in harsh environments.

Fault feedback can be detected by monitoring the

voltage at the input pin.

The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1,

VNP14NV04, VNS14NV04, are monolithic

devices designed in STMicroelectronics VIPower

M0-3 Technology, intended for replacement of

standard Power MOSFETS from DC up to 50KHz

BLOCK DIAGRAM

DRAIN

Overvoltage

Clamp

INPUT

Gate

Control

Linear

Current

Limiter

Over

Temperature

SOURCE

July 2003

1/29

12 3 4 5 6 7...29

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VND14NV0413TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VND14NV04	STMICROELECTRONICS	完全替代	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE
VND14NV04TR-E	STMICROELECTRONICS	类似代替	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND14NV04-E	STMICROELECTRONICS	类似代替	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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VND14NV04-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND14NV04TR-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND1NV04	STMICROELECTRONICS	获取价格	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE
VND1NV04_09	STMICROELECTRONICS	获取价格	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND1NV0413TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE
VND1NV04-E	STMICROELECTRONICS	获取价格	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND1NV04TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND3NV04	STMICROELECTRONICS	获取价格	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE
VND3NV04-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE

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