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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | SIP, |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 20 weeks | 风险等级： | 7.99 |
| Is Samacsys： | N | 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 6.5 mm |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 输出电流流向： | SINK |
| 标称输出峰值电流： | 18 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 6.1 mm |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.25 mm |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 断开时间： | 25 µs | 接通时间： | 4.5 µs |
| 宽度： | 2.4 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VND14NV04-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VND14NV04TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VND1NV04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| VND1NV04_09 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VND1NV0413TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| VND1NV04-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VND1NV04TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
|
| VND3NV04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
|
| VND3NV04-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
|
| VND3NV0413TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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