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VND10N06TR-E PDF预览

VND10N06TR-E

更新时间： 2024-10-29 17:33:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
14页 170K
描述
OMNIFET：全自动保护功率MOSFET

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VND10N06TR-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252包装说明：TO-252,
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：20 weeks
风险等级：5.68内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3长度：6.5 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：2输出电流流向：SINK
标称输出峰值电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TO-252封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
座面最大高度：2.63 mm表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：2.28 mm端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30断开时间：2.3 µs
接通时间：1.8 µs宽度：6.1 mm
Base Number Matches：1

VND10N06TR-E 数据手册

 浏览型号VND10N06TR-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VND10N06TR-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VND10N06TR-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VND10N06TR-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VND10N06TR-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VND10N06TR-E的Datasheet PDF文件第7页 
VND10N06/VND10N06-1  
VNP10N06FI/K10N06FM  
”OMNIFET”:  
FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET  
TYPE  
Vclamp  
RDS(on )  
Ilim  
VND10N06  
60 V  
60 V  
60 V  
60 V  
0.3 Ω  
0.3 Ω  
0.3 Ω  
0.3 Ω  
10 A  
10 A  
10 A  
10 A  
VND10N06-1  
VNP10N06FI  
VNK10N06FM  
3
3
1
2
■
■
■
■
■
■
■
■
■
LINEAR CURRENT LIMITATION  
THERMAL SHUT DOWN  
SHORT CIRCUIT PROTECTION  
1
DPAK  
TO-252  
IPAK  
TO-251  
INTEGRATED CLAMP  
LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN  
LOGIC LEVEL INPUT THRESHOLD  
ESD PROTECTION  
SCHMITT TRIGGER ON INPUT  
HIGH NOISE IMMUNITY  
DESCRIPTION  
3
2
The VND10N06, VND10N06-1, VNP10N06FI and  
VNK10N06FM are monolithic devices made  
using SGS-THOMSON Vertical Intelligent Power  
M0 Technology, intended for replacement of  
standard power MOSFETS in DC to 50 KHz  
applications. Built-in thermal shut-down, linear  
current limitation and overvoltage clamp protect  
the chip in harsh enviroments.  
1
ISOWATT220  
SOT82-FM  
BLOCK DIAGRAM (*)  
( ) SOT82-FM Pin Configuration: INPUT = 3; SOURCE = 1; DRAIN = 2.  
October 1997  
1/14  
1234567...14

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VND10N06TR-E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VND10N0613TR STMICROELECTRONICS

完全替代

 OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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