VND10N06

更新时间： 2024-02-23 12:00:16

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		继电器固态继电器
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14页	170K
描述
ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

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VND10N06 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	TO-252,
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	20 weeks
风险等级：	5.68	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	长度：	6.5 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	2	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TO-252	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
座面最大高度：	2.63 mm	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	2.28 mm	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	断开时间：	2.3 µs
接通时间：	1.8 µs	宽度：	6.1 mm
Base Number Matches：	1

VND10N06 数据手册

VND10N06/VND10N06-1

VNP10N06FI/K10N06FM

”OMNIFET”:

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

TYPE

V_clamp

R_{DS(on )}

I_lim

VND10N06

60 V

0.3 Ω

10 A

VND10N06-1

VNP10N06FI

VNK10N06FM

■

LINEAR CURRENT LIMITATION

THERMAL SHUT DOWN

SHORT CIRCUIT PROTECTION

DPAK

TO-252

IPAK

TO-251

INTEGRATED CLAMP

LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN

LOGIC LEVEL INPUT THRESHOLD

ESD PROTECTION

SCHMITT TRIGGER ON INPUT

HIGH NOISE IMMUNITY

DESCRIPTION

The VND10N06, VND10N06-1, VNP10N06FI and

VNK10N06FM are monolithic devices made

using SGS-THOMSON Vertical Intelligent Power

M0 Technology, intended for replacement of

standard power MOSFETS in DC to 50 KHz

applications. Built-in thermal shut-down, linear

current limitation and overvoltage clamp protect

the chip in harsh enviroments.

ISOWATT220

SOT82-FM

BLOCK DIAGRAM (*)

( ) SOT82-FM Pin Configuration: INPUT = 3; SOURCE = 1; DRAIN = 2.

October 1997

1/14

12 3 4 5 6 7...14

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