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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-251, IPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 内置保护： | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL |
| 输入特性： | SCHMITT TRIGGER | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-XSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 6.5 mm | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 输出特性： | OPEN-DRAIN | 输出电流流向： | SINK |
| 标称输出峰值电流： | 10 A | 输出极性： | TRUE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | SIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 7.4 mm | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.25 mm |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 断开时间： | 2.3 µs | 接通时间： | 1.8 µs |
| 宽度： | 2.3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VND10N0613TR | STMICROELECTRONICS |
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OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
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| VND10N06-1-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET |
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| VND10N06TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
10A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PSSO2, ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3/2 |
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| VND10N06TR-E | STMICROELECTRONICS |
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OMNIFET：全自动保护功率MOSFET |
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| VND14NV04 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| VND14NV04-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| VND14NV0413TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFE |
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| VND14NV04-1-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VND14NV04-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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| VND14NV04TR-E | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
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