VND10BSP

更新时间： 2024-01-26 00:52:46

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路继电器固态继电器光电二极管
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描述
ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

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VND10BSP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	HSOP,	针数：	10
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE	输入特性：	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PDSO-G10
JESD-609代码：	e3	长度：	9.4 mm
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	10	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出特性：	OPEN-SOURCE
输出电流流向：	SOURCE	标称输出峰值电流：	3.4 A
输出极性：	TRUE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.75 mm
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压：	26 V
最小供电电压：	6 V	标称供电电压：	13 V
表面贴装：	YES	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	500 µs
接通时间：	200 µs	宽度：	7.5 mm
Base Number Matches：	1

VND10BSP 数据手册

VND10BSP

ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY

TYPE

V_DSS

R_DS(on

)

I_OUT

V_CC

VND10BSP

40 V

0.1 Ω

3.4 A

26 V

■

OUTPUT CURRENT (CONTINUOUS):

14A @ T_c= 85^oC PER CHANNEL

5V LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT

THERMAL SHUT-DOWN

UNDER VOLTAGE PROTECTION

OPEN DRAIN DIAGNOSTIC OUTPUT

INDUCTIVE LOAD FAST

■

DEMAGNETIZATION

■

VERY LOW STAND-BY POWER

DISSIPATION

DESCRIPTION

PowerSO-10

The VND10BSP is a monolithic device made

using SGS-THOMSON Vertical Intelligent Power

Technology, intended for driving resistive or

inductive loads with one side grounded. This

device has two channels, and a common

diagnostic. Built-in thermal shut-down protects

the chip from over temperature and short circuit.

The status output provides an indication of open

load in on

state, open load in off state,

overtemperature conditions and stuck-on to V_CC

BLOCK DIAGRAM

1/9

March 1998

12 3 4 5 6 7...9

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