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VN35AB

更新时间: 2024-11-11 14:53:19
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NJSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 117K
描述
Trans MOSFET N-CH 350V 0.15A 3-Pin TO-92

VN35AB 技术参数

生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.76
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:35 V最大漏极电流 (ID):1.2 A
最大漏源导通电阻:2.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):10 pFJEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

VN35AB 数据手册

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