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VN3515LTR1

更新时间: 2024-11-10 19:59:51
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威世 - VISHAY 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
150mA, 350V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA

VN3515LTR1 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.16Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:350 V
最大漏极电流 (ID):0.15 A最大漏源导通电阻:15 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):5 pF
JEDEC-95代码:TO-226AAJESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

VN3515LTR1 数据手册

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