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VN3515LTR

更新时间: 2024-11-10 15:57:35
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,

VN3515LTR 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:350 V
最大漏极电流 (ID):0.15 A最大漏源导通电阻:15 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):10 pF
JEDEC-95代码:TO-226AAJESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

VN3515LTR 数据手册

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