Datasheet > VN3205N3-G

VN3205N3-G

更新时间： 2024-09-22 02:56:31

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		输入元件开关晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	858K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VN3205N3-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	10 weeks
风险等级：	0.61	其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	1.2 A	最大漏源导通电阻：	0.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	30 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

VN3205N3-G 数据手册

VN3205

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Features

General Description

• Free from Secondary Breakdown

• Low Power Drive Requirement

• Ease of Paralleling

The VN3205 Enhancement-mode (normally-off)

transistor uses a vertical DMOS structure and a

well-proven silicon-gate manufacturing process. This

combination produces a device with the power

handling capabilities of bipolar transistors and the high

input impedance and positive temperature coefficient

inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS

structures, this device is free from thermal runaway and

thermally induced secondary breakdown.

• Low C_ISSand Fast Switching Speeds

• Excellent Thermal Stability

• Integral Source-Drain Diode

• High Input Impedance and High Gain

Applications

Microchip’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications

where very low threshold voltage, high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance,

and fast switching speeds are desired.

• Motor Controls

• Converters, Amplifiers, and Switches

• Power Supply Circuits

• Drivers (Relays, Hammers, Solenoids, Lamps,

Memories, Displays, Bipolar Transistors, etc.)

Package Types

3-lead TO-92

(Top view)

3-lead SOT-89

(Top view)

DRAIN

SOURCE

DRAIN

GATE

SOURCE

GATE

See Table 3-1 and Table 3-2 for pin information.

 2021 Microchip Technology Inc.

DS20005995A-page 1

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

VN3205N3-G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VN3205N3-G-P002	MICROCHIP	类似代替	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
VN3205N3	SUPERTEX	功能相似	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

与VN3205N3-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VN3205N3-GP002	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN3205N3-G-P002	MICROCHIP	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
VN3205N3-GP003	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN3205N3-GP005	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN3205N3-GP013	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN3205N3-GP014	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN3205N3P001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
VN3205N3P003	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
VN3205N3P004	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
VN3205N3P006	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与VN3205N3-G相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

34
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

31
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

104
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

100

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VN3205N3-G

VN3205N3-G 技术参数

VN3205N3-G 数据手册

VN3205N3-G 替代型号

与VN3205N3-G相关器件

与VN3205N3-G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VN3205N3-G

VN3205N3-G 技术参数

VN3205N3-G 数据手册

VN3205N3-G 替代型号

与VN3205N3-G相关器件

与VN3205N3-G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？