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VN2460N8-G

更新时间： 2024-09-22 00:53:47

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超科 - SUPERTEX		开关晶体管
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7页	565K
描述
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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VN2460N8-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.89	其他特性：	FAST SWITCHING
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	25 pF	JEDEC-95代码：	TO-243AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

VN2460N8-G 数据手册

VN2460

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Features

General Description

► Free from secondary breakdown

► Low power drive requirement

► Ease of paralleling

► Low C_ISSand fast switching speeds

► Excellent thermal stability

► Integral source-drain diode

This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a

vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate

manufacturing process. This combination produces a device with

the power handling capabilities of bipolar transistors and with

the high input impedance and positive temperature coefﬁcient

inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures,

this device is free from thermal runaway and thermally induced

secondary breakdown.

► High input impedance and high gain

Applications

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where high breakdown

voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast

switching speeds are desired.

► Motor controls

► Converters

► Ampliﬁers

► Switches

► Power supply circuits

► Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps,

memories, displays, bipolar transistors, etc.)

Ordering Information

Package Options

Device

R_DS(ON)

I_D(ON)

BV_DSS/BV_DGS

(max)

(Ω)

(min)

(mA)

TO-243AA

(V)

TO-92

(SOT-89)

VN2460

VN2460N3-G

VN2460N8-G

600

250

-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)

Pin Conﬁgurations

DRAIN

SOURCE

Absolute Maximum Ratings

Parameter

SOURCE

DRAIN

GATE

Value

BV_DSS

GATE

TO-92 (N3)

TO-243AA (SOT-89) (N8)

Drain-to-source voltage

Drain-to-gate voltage

Product Marking

BV_DGS

SiVN

2 4 6 0

Y YWW

YY = Year Sealed

WW = Week Sealed

= “Green” Packaging

Gate-to-source voltage

±20V

Operating and storage temperature

Soldering temperature^*

-55°C to +150°C

+300°C

Package may or may not include the following marks: Si or

TO-92 (N3)

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device

may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous

operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All

voltages are referenced to device ground.

W = Code for week sealed

VN4FW

= “Green” Packaging

Package may or may not include the following marks: Si or

TO-243AA (SOT-89) (N8)

Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.

● 1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089 ● Tel: 408-222-8888 ● www.supertex.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VN2460N8VN2460N3-G	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN2460NW	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
VN24A19000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
VN2780LG	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| SO
VN3012L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| TO-92
VN3012LP001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 300V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN3012LP002	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 300V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN3012LP003	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 300V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN3012LP005	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 300V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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