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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JEDEC-95代码： | TO-243AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.6 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1.3 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 11 ns | 最大开启时间（吨）： | 10 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| VN1316N2 | SUPERTEX | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VN1316N3 | SUPERTEX | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VN1319A3R | SHIELD | For electrovalves, style C-ind, 2p or 3p+G, female, field attachable |
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| VN1319A8R | SHIELD | For electrovalves, style C-ind, 2p or 3p+G, female, field attachable |
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| VN1320N2 | SUPERTEX | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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| VN1320N3 | SUPERTEX | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
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