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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.56 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JEDEC-95代码： | TO-206AA |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VN10KC | ROCHESTER |
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暂无描述 |
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| VN10KC | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| VN10KCSM4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 170MA I(D) | LLCC |
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| VN10KC-T1 | ROCHESTER |
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310mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-59, 3 PIN |
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| VN10KC-T1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| VN10KE | TEMIC |
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N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors |
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| VN10KE | SEME-LAB |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| VN10KLS | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs with Zener Gate |
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| VN10KLS-TA | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| VN10KLSTR | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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