VN0605T

更新时间： 2024-01-17 04:50:29

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CALOGIC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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2页	27K
描述
VN0605T N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor

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VN0605T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.18 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

VN0605T 数据手册

VN0605T

N-Channel Enhancement-Mode

MOS Transistor

CORPORATION

VN0605T

FEATURES

ORDERING INFORMATION

Low r_DS(on)<5Ω

Low cost

Part

Package

Surface Mount SOT-23

Temperature Range

-55^oC to +150^oC

•

VN0605T

For sorted chips in carriers see 2N7000

APPLICATIONS

Switching

Amplification

•

PIN CONNECTIONS

SOT-23

TOP VIEW

1 DRAIN

2 SOURCE

3 GATE

PRODUCT MARKING

VN0605T V05

CD5

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25^oC unless otherwise noted)

SYMBOL

V_DS

V_GS

PARAMETERS/TEST CONDITIONS

Drain-Source Voltage

LIMITS

UNITS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current¹

Power Dissipation

±30

_A= 25^oC

T_A= 100^oC

0.18

I_D

I_DM

P_D

^oC

0.11

0.72

_A= 25^oC

T_A= 100^oC

0.36

0.14

T_J

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

-55 to 150

300

T_stg

T_L

Lead Temperature (1/16" from case for 10 sec.)

THERMAL RESISTANCE RATINGS

SYMBOL

R_thJA

¹Pulse width limited by maximum junction temperature.

THERMAL RESISTANCE

LIMITS

UNITS

Junction-to-Ambient

350

K/W

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