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VN0300LRLRM

更新时间： 2024-11-11 14:45:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
33页 292K
描述
200mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN

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VN0300LRLRM 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：0.2 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：25 pFJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

VN0300LRLRM 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
3 DRAIN  
N–Channel — Enhancement  
Motorola Preferred Device  
2
GATE  
1 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
1
V
DSS  
V
V
2
3
Drain–Gate Voltage  
V
V
60  
DGR  
Gate–Source Voltage  
– Continuous  
CASE 29–04, STYLE 22  
TO–92 (TO–226AA)  
V
GS  
± 20  
± 40  
Vdc  
Vpk  
– Non–repetitive (t ≤ 50 µs)  
p
GSM  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
200  
500  
mA  
mA  
D
I
DM  
Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
C
Operating and Storage Temperature  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
T , T  
—
°C  
J
stg  
Symbol  
Max  
312.5  
300  
Unit  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
R
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/16” from case for 10  
seconds  
T
L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
STATIC CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Drain–Source Breakdown Voltage  
V
30  
—
V
(BR)DSS  
(V  
DS  
= 0, I = 10 µA)  
D
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
µA  
DSS  
(V  
DS  
(V  
DS  
= 48 Vdc, V  
= 48 Vdc, V  
= 0)  
—
—
10  
500  
GS  
GS  
= 0, T = 125°C)  
A
Gate–Body Leakage  
(V = 0, V = ±30 V)  
I
—
±100  
2.5  
nA  
V
GSS  
DS  
Gate Threshold Voltage  
(V = V , I = 1.0 mA)  
GS  
V
0.8  
1.0  
GS(th)  
D(on)  
DS GS  
D
(1)  
On–State Drain Current  
(V  
I
—
A
= V , I = 1.0 mA)  
GS  
DS  
D
(1)  
Drain–Source On Resistance  
r
Ω
DS(on)  
(V  
GS  
(V  
GS  
= 5.0 V, I = 0.3 A)  
—
—
3.3  
1.2  
D
= 10 V, I = 1.0 A)  
D
(1)  
Forward Transconductance  
g
fs  
200  
—
mS  
(V = 10 V, I = 0.5 A)  
DS  
D
1. Pulse Test; Pulse Width < 300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
4–96  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234567...33

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与VN0300LRLRM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VN0300LRLRP MOTOROLA

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 		200mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
VN0300LS VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20-, 30-, 40-V (D-S) MOSFETs
VN0300LSTR VISHAY

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 		暂无描述
VN0300LS-TR1 VISHAY

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 		TRANSISTOR 670 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, TO-92S, 3 PIN, FET Ge
VN0300LTA TEMIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN0300L-TA VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN0300L-TA TEMIC

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN0300LTR1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
VN0300L-TR1 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 30V 0.64A 3-Pin TO-226AA T/R
VN0300LZL1 ONSEMI

获取价格

 		200mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN

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