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VLB10090HT-R10M-GT

更新时间： 2024-03-03 10:07:36

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东电化 - TDK		/
页数	文件大小	规格书
4页	251K
描述
L=0.1μHRated current=60A

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I N D U C T O R S

电源电路用电感器

绕线铁氧体

REACH Halogen

Lead

Free

RoHS

SVHC-Free

Free

系列

VLB

型

VLB10090HT-GT

特点

使用低损耗铁氧体材料的电源回路用SMD电感器。

通过采用无焊接结构，实现大电流，低DCR化。

通过竖直结构，可以在下面安装零件，实现节省空间。

工作温度范围: 40 to +150°C （包括自我温度上升)

用途

服务器、 BTS、 VRM、其他

型号的命名方法

VLB

10090

R12

L×W×H 尺寸

12.7×10.0×11.5 mm max.

电感

(nH)

系列名称

特点

包装形式

电感容差

管理编号

特点规格表

测定频率

直流电阻

额定电流 ^

Isat

(A)typ.

125

型号

Itemp

(A)typ.

(µH)

0.10

(kHz)

100

(m)

0.33

容差

+/–20%

容差

+/–10%

VLB10090HT-R10M-GT

^额定电流：Isat 和 Itemp 中较小的值。

Isat: 基于电感器变化率（比公称值降低 20%）

Itemp: 基于温度上升（自我发热使温度上升 40°C）

测量设备

测量项目

型号

4194A

3541

厂商

Keysight Technologies

HIOKI

直流电阻

3260+3265B

Wayne Kerr Electronics

额定电流 Isat

＊有时使用同等测量设备。

(1/4)

为了能够更加正确、安全地使用产品，请务必索取能进一步确认详细特性、规格的采购规格书。

记载内容可能因为产品改良等原因不经预告而更改，恕不另行通知。

20200514

inductor_commercial_power_vlb10090ht-gt_zh.fm

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与VLB10090HT-R10M-GT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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VLB10-12F_07	ASI	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	获取价格
VLB10-12S	ASI	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	获取价格
VLB10-12S_07	ASI	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	获取价格
VLB1050	TEMEX	Voltage Controlled Oscillator, 1050MHz Min, 1500MHz Max	获取价格