Datasheet > VLB10-12S

VLB10-12S

更新时间： 2024-01-18 18:09:54

品牌	Logo	应用领域
ASI		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
1页	17K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VLB10-12S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	2 A
基于收集器的最大容量：	65 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

VLB10-12S 数据手册

VLB10-12S

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI VLB10-12S is Designed for

12.5 V, Large Signal Class C Amplifier

Applications up to 50 MHz.

PACKAGE STYLE .380 4L STUD

.112x45°

FEATURES:

• Common Emitter

• P_G= 16 dB at 10 W/50 MHz

• Omnigold™ Metalization System

ØC

MAXIMUM RATINGS

2.0 A

36 V

I_C

#8-32 UNC-2A

V_CBO

V_CES

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

36 V

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

4.0 V

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

35 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

5.0 °C/W

T_STG

θ_JC

ORDER CODE: ASI10734

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 15 mA

I_C= 50 mA

I_E= 2.5 mA

V_CB= 15 V

BV_CES

BV_EBO

I_CBO

4.0

5.0

---

_CE= 5.0 V

I_C= 250 mA

P_OUT= 10 W

5.0

200

h_FE

V_CB= 15 V

f = 1.0 MHz

f = 50 MHz

C_OB

P_G

V_CC= 12.5 V

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. B

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

下载PDF

与VLB10-12S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
VLB10-12S_07	ASI	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	获取价格
VLB1050	TEMEX	Voltage Controlled Oscillator, 1050MHz Min, 1500MHz Max	获取价格
VLB1051	TEMEX	Voltage Controlled Oscillator, 1050MHz Min, 1200MHz Max	获取价格
VLB1052	TEMEX	Voltage Controlled Oscillator, 1050MHz Min, 1085MHz Max	获取价格
VLB1068-RF	TEMEX	Voltage Controlled Oscillator, 1050MHz Min, 1086MHz Max	获取价格
VLB1130	TEMEX	VCO, 1130 MHz - 1165 MHz	获取价格