是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 14 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9 A | 最大漏极电流 (ID): | 9 A |
最大漏源导通电阻: | 0.011 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 3 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
SI4473DY-T1-E3 | VISHAY | P-Channel 14-V (D-S) MOSFET |
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SI4477DY | VISHAY | P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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SI4477DY-T1-GE3 | VISHAY | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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SI4480DY | FAIRCHILD | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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SI4480DY | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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SI4480DYD84Z | FAIRCHILD | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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