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2N7002TT2

更新时间: 2024-01-18 08:27:26
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威世 - VISHAY 小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 176K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

2N7002TT2 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.56配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):0.2 A
最大漏源导通电阻:5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):5 pFJEDEC-95代码:TO-226AA
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N7002TT2 数据手册

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