是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Lifetime Buy | 零件包装代码: | BCY |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.25 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOW THRESHOLD, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 90 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.86 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.86 A | 最大漏源导通电阻: | 4 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 10 pF |
JEDEC-95代码: | TO-205AD | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 6.25 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6661B-2 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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2N6661CSM4 | SEME-LAB | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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2N6661DCSM | SEME-LAB | DUAL N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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2N6661JANTX | VISHAY | N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
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2N6661JANTXV | VISHAY | N-Channel 90 V (D-S) MOSFET |
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2N6661JTVP02 | VISHAY | 19500/547 JANTXV2N6661P WITH PIND |
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