2N5564-E3

更新时间： 2024-01-19 09:16:15

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	94K
描述
Matched N-Channel JFET Pairs

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2N5564-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.45	Is Samacsys：	N
FET 技术：	JUNCTION	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.325 W
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

2N5564-E3 数据手册

2N5564/5565/5566

Vishay Siliconix

Matched N-Channel JFET Pairs

PRODUCT SUMMARY

Part Number V_GS(off)(V) V_(BR)GSSMin (V) g_fsMin (mS) I_GTyp (pA) jV_GS1− V_GS2j Max (mV)

2N5564

2N5565

2N5566

−0.5 to −3

−40

7.5

−3

FEATURES

BENEFITS

APPLICATIONS

D Two-Chip Design

D Tight Differential Match vs. Current

D Wideband Differential Amps

D High Slew Rate

D Improved Op Amp Speed, Settling Time

D High-Speed,

Accuracy

Temp-Compensated,

Single-Ended Input Amps

D High-Speed Comparators

D Impedance Converters

D Matched Switches

D Low Offset/Drift Voltage

D Low Gate Leakage: 3 pA

D Low Noise: 12 nV⁄√Hz @ 10 Hz

D Good CMRR: 76 dB

D Minimum Parasitics

D Minimum Input Error/Trimming Requirement

D Insignificant Signal Loss/Error Voltage

D High System Sensitivity

D Minimum Error with Large Input Signals

D Maximum High Frequency Performance

DESCRIPTION

The 2N5564/5565/5566 are matched pairs of JFETs mounted

in a TO-71 package. This two-chip design reduces parasitics

for good performance at high frequency while ensuring

The hermetically-sealed TO-71 package is available with full

military processing (see Military Information).

extremely tight matching.

breakdown voltage (V_(BR)DSStypically > 55 V), high gain

(typically > 9 mS), and <5 mV offset between the two die.

This series features high

For similar products see the low-noise U/SST401 series, and

the low-leakage 2N5196/5197/5198/5199 data sheets.

TO-71

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Gate-Drain, Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40 V

Gate-Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . "80 V

Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA

Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to 150_C

Power Dissipation :

Per Side . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 325 mW

Total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650 mW

Notes

Lead Temperature ( / ” from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 _C

a. Derate 2.6 mW/_C above 25_C

b. Derate 5.2 mW/_C above 25_C

Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to 200_C

Document Number: 70254

S-50150—Rev. E, 24-Jan-05

www.vishay.com

12 3 4 5 6

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与2N5564-E3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5565	NJSEMI	MATCHED N-CHANNEL JFET PAIRS	获取价格
2N5565	VISHAY	Matched N-Channel JFET Pairs	获取价格
2N5565-E3	VISHAY	Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET	获取价格
2N5566	VISHAY	Matched N-Channel JFET Pairs	获取价格
2N5566	NJSEMI	MATCHED N-CHANNEL JFET PAIRS	获取价格
2N5567	NJSEMI	TRIACS BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS	获取价格

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