1N5260B

更新时间： 2024-01-18 07:04:28

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威世 - VISHAY		二极管测试
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4页	50K
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Silicon Z-Diodes

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1N5260B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	43 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	20%
工作测试电流：	3 mA	Base Number Matches：	1

1N5260B 数据手册

1N5221B...1N5267B

Vishay Telefunken

Silicon Z–Diodes

Features

Very sharp reverse characteristic

Very high stability

Low reverse current level

V –tolerance ± 5%

Applications

94 9367

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Z–current

Junction temperature

Storage temperature range

Test Conditions

75 C

Type

Symbol

Value

500

Unit

P /V

200

–65...+200

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

l=9.5mm (3/8”), T =constant

Symbol

thJA

Value

300

Unit

K/W

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =200mA

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.1

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 85588

Rev. 2, 06-Aug-99

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与1N5260B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5260B(DO-35)	MCC	Zener Diode, 43V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN	获取价格
1N5260B(DO-35)-BP	MCC	DIODE 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, DO-35, 2 PIN, V	获取价格
1N5260B(DO-35)P	MCC	DIODE 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, DO-35, 2 PIN, V	获取价格
1N5260B(DO-35)-TP	MCC	DIODE 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, DO-35, 2 PIN, V	获取价格
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