10WT10FNTRR

更新时间： 2024-01-13 05:30:19

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威世 - VISHAY		整流二极管功效
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7页	133K
描述
High Performance Generation 5.0 Schottky Rectifier, 10 A

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10WT10FNTRR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.66 V
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	610 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

10WT10FNTRR 数据手册

VS-10UT10, VS-10WT10FN

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

High Performance Generation 5.0 Schottky Rectifier, 10 A

FEATURES

• 175 °C high performance Schottky diode

• Very low forward voltage drop

• Extremely low reverse leakage

I-PAK(TO-251AA)

D-PAK(TO-252AA)

• Optimized V_Fvs. I_Rtrade off for high efficiency

Base

cathode

Base

cathode

• Increased ruggedness for reverse avalanche

capability

• RBSOA available

• Negligible switching losses

Cathode

• Submicron trench technology

Anode

Cathode

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47

VS-10UT10

VS-10WT10FN

PRODUCT SUMMARY

APPLICATIONS

I-PAK(TO-251AA),

D-PAK (TO-252AA)

• High efficiency SMPS

• High frequency switching

• Output rectification

Package

I_F(AV)

V_R

10 A

100 V

• Reverse battery protection

• Freewheeling

V_Fat I_F

0.66 V

I_RMmax.

T_Jmax.

Diode variation

E_AS

4 mA at 125 °C

175 °C

• DC/DC systems

• Increased power density systems

Single die

54 mJ

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

SYMBOL

V_RRM

V_F

CHARACTERISTICS

VALUES

100

UNITS

10 Apk, T_J= 125 °C (typical)

Range

0.615

T_J

- 55 to 175

°C

VOLTAGE RATINGS

PARAMETER

VS-10UT10

VS-10WT10FN

SYMBOL

TEST CONDITIONS

T_J= 25 °C

UNITS

Maximum DC reverse voltage

V_R

100

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

50 % duty cycle at T_C= 159 °C, rectangular waveform

VALUES

UNITS

Maximum average forward current

I_F(AV)

Following any rated load

condition and with rated

5 μs sine or 3 μs rect. pulse

610

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

I_FSM

E_AS

I_AR

_RRMapplied ⁽¹⁾

10 ms sine or 6 ms rect. pulse

T_J= 25 °C, I_AS= 3 A, L = 12 mH

110

Non-repetitive avalanche energy

Repetitive avalanche current

Limited by frequency of operation and time pulse duration

so that T_J< T_Jmax. I_ASat T_Jmax. as a function of time pulse

(see fig. 8)

I_ASat

T_Jmax.

Note

(1)

Measured connecting 2 anode pins

Revision: 02-Nov-11

Document Number: 94647

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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