10MQ040NPBF

更新时间： 2024-02-16 10:33:10

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威世 - VISHAY		整流二极管光电二极管
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描述
Schottky Rectifier, 2.1 A

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10MQ040NPBF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.41	其他特性：	LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值正向电流：	120 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

10MQ040NPBF 数据手册

10MQ040NPbF

Vishay High Power Products

Schottky Rectifier, 2.1 A

FEATURES

• Small foot print, surface mountable

• Low forward voltage drop

• High frequency operation

Available

RoHS*

COMPLIANT

Cathode

Anode

• Guard ring for enhanced ruggedness and long term

reliability

SMA

• Lead (Pb)-free (“PbF” suffix)

• Designed and qualified for industrial level

DESCRIPTION

The 10MQ040NPbF surface mount Schottky rectifier has

been designed for applications requiring low forward drop

and very small foot prints on PC boards. Typical applications

are in disk drives, switching power supplies, converters,

freewheeling diodes, battery charging, and reverse battery

protection.

PRODUCT SUMMARY

I_F(AV)

2.1 A

40 V

V_R

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

SYMBOL

CHARACTERISTICS

VALUES

2.1

UNITS

I_F

V_RRM

I_FSM

V_F

t_p= 5 µs sine

1.5 Apk, T_J= 125 °C

Range

120

0.56

T_J

- 55 to 150

°C

VOLTAGE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

10MQ040NPbF

UNITS

Maximum DC reverse voltage

Maximum working peak reverse voltage

V_R

V_RWM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

50 % duty cycle at T_L= 123 °C, rectangular waveform

On PC board 9 mm²island

(0.013 mm thick copper pad area)

Maximum average forward current

See fig. 4

I_F(AV)

1.5

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

See fig. 6

Following any rated

load condition and with

rated V_RRMapplied

5 µs sine or 3 µs rect. pulse

120

I_FSM

10 ms sine or 6 ms rect. pulse

T_J= 25 °C, I_AS= 1 A, L = 6 mH

Non-repetitive avalanche energy

Repetitive avalanche current

E_AS

I_AR

3.0

1.0

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 94117

Revision: 16-Apr-08

For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com

www.vishay.com

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