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VHE808

更新时间: 2024-11-05 19:38:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon, DO-5, 1 PIN

VHE808 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-5
包装说明:DO-5, 1 PIN针数:1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:EFFICIENCY外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.5 V
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:600 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:50 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:0.05 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

VHE808 数据手册

 浏览型号VHE808的Datasheet PDF文件第2页 

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