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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.36 | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.85 V | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 150 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 6 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| VHE701 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN |
|
| VHE702 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN |
|
| VHE704 | ASI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 30A, 200V V(RRM) |
|
| VHE704 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN |
|
| VHE705 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 300V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN |
|
| VHE706 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 400V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN |
|
| VHE707 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 500V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN |
|
| VHE708 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 600V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN |
|
| VHE801 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, 50V V(RRM), Silicon, DO-5, 1 PIN |
|
| VHE807 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 500V V(RRM), Silicon, DO-5, 1 PIN |
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