5秒后页面跳转
VHE530 PDF预览

VHE530

更新时间: 2024-09-13 20:00:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 功效二极管
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon,

VHE530 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
应用:EFFICIENCY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.4 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流:150 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:300 V
最大反向恢复时间:0.05 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

VHE530 数据手册

 浏览型号VHE530的Datasheet PDF文件第2页 

与VHE530相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VHE560 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon,
VHE605 NJSEMI

获取价格

Diode Switching 2-Pin DO-201AD
VHE605 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
VHE610 NJSEMI

获取价格

Diode Switching 2-Pin DO-201AD
VHE615 NJSEMI

获取价格

Diode Switching 2-Pin DO-201AD
VHE615 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 150V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
VHE620 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
VHE620 NJSEMI

获取价格

Diode Switching 2-Pin DO-201AD
VHE701 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN
VHE702 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN