是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-MBFM-P2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.84 |
应用: | EFFICIENCY | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 250 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 25 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 300 V |
最大反向恢复时间: | 0.05 µs | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VHE530 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 300V V(RRM), Silicon, | |
VHE560 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, | |
VHE605 | NJSEMI |
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Diode Switching 2-Pin DO-201AD | |
VHE605 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 | |
VHE610 | NJSEMI |
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Diode Switching 2-Pin DO-201AD | |
VHE615 | NJSEMI |
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Diode Switching 2-Pin DO-201AD | |
VHE615 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 150V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 | |
VHE620 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 | |
VHE620 | NJSEMI |
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Diode Switching 2-Pin DO-201AD | |
VHE701 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4, 1 PIN |