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VG4616321BQ-5

更新时间： 2024-11-06 22:16:03

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世界先进 - VML		/
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82页	1377K
描述
262,144x32x2-Bit CMOS Synchronous Graphic RAM

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VG4616321BQ-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	QFP, QFP100,.7X.9
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	4.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	100
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP100,.7X.9
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	3.4 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

VG4616321BQ-5 数据手册

VG4616321B/VG4616322B

262,144x32x2-Bit

Preliminary

CMOS Synchronous Graphic RAM

VIS

Overview

The VG4616321(2) SGRAM is a high-speed CMOS synchronous graphics RAM containing 16M bits. It

is internally configured as a dual 256K x 32 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on

the positive edge of the clock signal, CLK). Each of the 256K x 32 bit banks is organized as 1024 rows by

256 columns by 32 bits. Read and write accesses to the SGRAM are burst oriented; accesses start at a

selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses

begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.

The VG4616321(2) provides for programmable Read or Write burst lengths of 1, 2, 4, 8, or full page,

with burst termination option. An Auto Precharge function may be enabled to provide a self-timed row pre-

charge that is initiated at the end of the burst sequence. The refresh functions, either Auto or Self Refresh

are easy to use. In addition, it features the write per bit and the masked block write functions.

By having a programmable Mode register and special mode register, the system can choose the best

suitable modes to maximize its performance. These devices are well suited for applications requiring high

memory bandwidth, and when combined with special graphics functions result in a device particularly well

suited to high performance graphics applications.

Features

• Fast access time from clock: 4.5/5/5.5ns

• Fast clock rate: 200/166/143 MHz

• Fully synchronous operation

• Internal pipelined architecture

• Dual internal banks(256K x 32-bit x 2-bank)

• Programmable Mode and Special Mode registers

- CAS Latency: 1, 2, or 3

- Burst Length: 1, 2, 4, 8, or full page

- Burst Type: interleaved or linear burst

- Burst Read Single Write

- Load Color or Mask register

• Burst stop function

• Individual byte controlled by DQM0-3

• Block write and write-per-bit capability

• Auto Refresh and Self Refresh

• 2048 refresh cycles/32ms

• Single + 3.3V ±0.3V power supply

• Input Reference Voltage : Vref = 1.5V ± 0.2V

• Interface: LVTTL and SSTL_3

• JEDEC 100-pin Plastic QFP package

Document:1G5-0145

Rev.1

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