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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VF40150C-E3/4W
VF40150C-E3/4W PDF预览

VF40150C-E3/4W

更新时间： 2024-11-05 05:53:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管瞄准线高压功效局域网
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5页 169K
描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

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VF40150C-E3/4W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220AB包装说明：R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.57其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：160 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：150 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

VF40150C-E3/4W 数据手册

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New Product  
V40150C, VF40150C, VB40150C & VI40150C  
Vishay General Semiconductor  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low V = 0.55 V at I = 5 A  
F
F
FEATURES  
TMBS®  
• Trench MOS Schottky technology  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
3
3
2
2
1
1
V40150C  
VF40150C  
TO-262AA  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB  
and TO-262AA package)  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
PIN 2  
CASE  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TO-263AB  
K
K
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency inverters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc  
converters and reverse battery protection.  
2
1
3
2
1
VB40150C  
VI40150C  
MECHANICAL DATA  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 2  
K
PIN 2  
K
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB and  
HEATSINK  
TO-262AA  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
IF(AV)  
2 x 20 A  
VRRM  
150 V  
160 A  
0.75 V  
150 °C  
IFSM  
VF at IF = 20 A  
TJ max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL V40150C  
VF40150C VB40150C VI40150C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
150  
V
Maximum average forward rectified current  
(Fig. 1)  
per device  
per diode  
40  
20  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
160  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Document Number: 89048  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VF40150C-E3-4W VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF40150C-M3-4W VISHAY

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 		Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VF40315100J0G AMPHENOL

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