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VF40100G-M3/4W

更新时间： 2024-11-27 21:15:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
5页 92K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN

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VF40100G-M3/4W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：5.34
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.81 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：20 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：500 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VF40100G-M3/4W 数据手册

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VF40100G  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A  
FEATURES  
• Trench MOS Schottky technology  
TMBS®  
ITO-220AB  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Low thermal resistance  
• Solder dip 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
3
2
For use in high frequency converters, switching power  
supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC  
converters and reverse battery protection.  
1
VF40100G  
PIN 1  
PIN 2  
MECHANICALDATA  
PIN 3  
Case: ITO-220AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Base P/N-M3  
-
halogen-free, RoHS-compliant, and  
IF(AV)  
2 x 20 A  
100 V  
commercial grade  
VRRM  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
IFSM  
200 A  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF at IF = 20 A  
TJ max.  
0.67 V  
150 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VF40100G  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
100  
40  
V
per device  
per diode  
Maximum average forward rectified current  
(fig. 1)  
IF(AV)  
A
20  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
dV/dt  
VAC  
200  
10 000  
A
V/μs  
V
Voltage rate of change (rated VR)  
Isolation voltage  
from terminal to heatsink t = 1 min  
1500  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 40 to + 150  
°C  
Revision: 20-Jul-12  
Document Number: 89951  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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