是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.42 |
其他特性: | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS | 应用: | EFFICIENCY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.73 V | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值正向电流: | 200 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 20 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 100 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | SCHOTTKY |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VF40100G-M3/4W | VISHAY |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGE | |
VF40120C | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A | |
VF40120C_10 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VF40120C_15 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VF40120C-E3/4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A | |
VF40120C-M3-4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VF40150C | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A | |
VF40150C_10 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
VF40150C-E3/4W | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A | |
VF40150C-E3-4W | VISHAY |
获取价格 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |