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VF40100C-M3/4W

更新时间： 2024-11-24 20:08:19

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威世 - VISHAY		局域网功效瞄准线二极管
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5页	96K
描述
40A,100V,TRENCH SKY RECT.

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VF40100C-M3/4W 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.25
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.73 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	250 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	1000 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

VF40100C-M3/4W 数据手册

VF40100C

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.38 V at I_F= 5 A

FEATURES

TMBS^®

• Trench MOS Schottky technology

ITO-220AB

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Low thermal resistance

• Solder dip 275 °C max., 10 s, per JESD 22-B106

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency converters, switching power

supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC

converters and reverse battery protection.

VF40100C

PIN 1

PIN 2

PIN 3

MECHANICAL DATA

Case: ITO-220AB

PRIMARY CHARACTERISTICS

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

I_F(AV)

2 x 20 A

100 V

Base P/N-E3

Base P/N-M3

RoHS-compliant, commercial grade

halogen-free, RoHS-compliant, and

V_RRM

commercial grade

I_FSM

250 A

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

V_Fat I_F= 20 A

T_Jmax.

Package

0.61 V

150 °C

ITO-220AB

Polarity: As marked

Diode variation

Dual common cathode

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VF40100C

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

100

per device

per diode

Maximum average forward rectified current

I_F(AV)

(fig. 1)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load per diode

I_FSM

250

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

V_AC

10 000

1500

V/μs

Isolation voltage from terminal to heatsink t = 1 min

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-40 to +150

°C

Revision: 17-Aug-15

Document Number: 89459

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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