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VBO25-16AO2

更新时间： 2024-09-15 22:16:19

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Single Phase Rectifier Bridge

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VBO25-16AO2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-XUFM-D4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	2.24
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	1630 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.36 V	JESD-30 代码：	S-XUFM-D4
最大非重复峰值正向电流：	370 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	38 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

VBO25-16AO2 数据手册

VBO 25

I_dAV= 38 A

V_RRM= 800-1600 V

Single Phase

Rectifier Bridge

Standard and Avalanche Types

V_RSMV_BRmin

①

V_RRM

Standard

Types

Avalanche

Types

–

900

800

VBO 25-08NO2

1300 1230

1500 1430

1700 1630

1200 VBO 25-12NO2 VBO 25-12AO2

1400 VBO 25-14NO2 VBO 25-14AO2

1600 VBO 25-16NO2 VBO 25-16AO2

–

① For Avalanche Types only

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

• Avalanche rated parts available

• Package with DCB ceramic base plate

• Isolation voltage 3600 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• ¼" fast-on terminals

I_dAV

I_dAVM

P_RSM

②

T_C= 85°C, module

3.4

module

T_VJ= T_VJM

t = 10 µs

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

370

390

_VJ= T_VJM

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

320

340

• UL registered E 72873

V_R= 0

I²t

T_VJ= 45°C

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

680

640

A²s

Applications

V_R= 0

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

510

470

• Field supply for DC motors

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

Advantages

• Easy to mount with one screw

• Space and weight savings

• Improvedtemperatureandpowercycling

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL≤ 1 mA t = 1 s

3000

3600

M_d

Mounting torque (M5)

(10-32 UNF)

typ.

1.5-2

13-18 lb.in.

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Weight

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

V_R= V_RRM

;

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

≤

0.3 mA

V_F

I_F= 55 A;

T_VJ= 25°C

≤

1.36

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.85

mΩ

R_thJC

per diode, DC current

per module

per diode, DC current

per module

2.8 K/W

0.7 K/W

3.2 K/W

0.8 K/W

R_thJK

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air ③

Max. allowable acceleration

13 mm

9.5 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated

for resistive load at bridge output, ③ with isolated fast-on tabs.

②

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 2

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与VBO25-16AO2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VBO25-16NO2	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO25-16NO2	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO30	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO30-08NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO30-12NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO30-14NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO30-16NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO30-18NO7	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO36	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO36-08NO8	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 800V V(RRM), Silicon,

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