Datasheet > VBO22-16NO8

VBO22-16NO8

更新时间： 2024-11-20 12:17:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
1页	33K
描述
Single Phase Rectifier Bridge

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

VBO22-16NO8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	S-XUFM-D4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	2.29	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.2 V	JESD-30 代码：	S-XUFM-D4
最大非重复峰值正向电流：	400 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	21 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VBO22-16NO8 数据手册

VBO 22

I_dAVM= 21 A

V_RRM= 1200-1800 V

Single Phase

Rectifier Bridge

–

V_RSM

V_RRM

Type

1200

1400

1600

1800

1200

1400

1600

1800

VBO 22-12NO8

VBO 22-14NO8

VBO 22-16NO8

VBO 22-18NO8

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

I_dAV

I_dAVM

T_C= 85°C, module

T_C= 63°C, module

●

Package with ¼" fast-on terminals

Isolation voltage 3000 V~

Planar passivated chips

Blocking voltage up to 1800 V

Low forward voltage drop

UL registered E 72873

I_FSM

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

380

440

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

360

400

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

725

800

A²s

Applications

●

Supplies for DC power equipment

Input rectifiers for PWM inverter

Battery DC power supplies

Field supply for DC motors

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

650

A²s

●

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+150

°C

Advantages

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

●

Easy to mount with one screw

Space and weight savings

Improved temperature and power

●

M_d

Mounting torque

(M5)

(10-32 UNF)

2 ± 10 %

18 ± 10 % lb.in.

●

cycling

Weight

typ.

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

= 25°C;

V = V_RRM

V^R_R= V_RRM

0.3

5.0

T^V_V^J_J= T_VJM

;

V_F

V_T0

r_T

I_F= 150 A;

T_VJ= 25°C

2.2

0.85

For power-loss calculations only

R_thJC

R_thJK

per diode; DC current

per module

8.2

K/W

2.05

per diode; DC current

per module

9.4

2.35

K/W

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

12.7 mm

9.4 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

1 - 1

中文翻译

下载PDF

与VBO22-16NO8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VBO22-18NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 21A, 1800V V(RRM), Silicon
VBO22-18NO8	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO22-18NO8	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO25	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO25-04N02	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 38A, 400V V(RRM),
VBO25-08N02	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 38A, 800V V(RRM),
VBO25-08NO2	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO25-12A02	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 38A, 1200V V(RRM),
VBO25-12AO2	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO25-12N02	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 38A, 1200V V(RRM),

与VBO22-16NO8相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VBO22-16NO8

VBO22-16NO8 技术参数

VBO22-16NO8 数据手册

与VBO22-16NO8相关器件

与VBO22-16NO8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

VBO22-16NO8

VBO22-16NO8 技术参数

VBO22-16NO8 数据手册

与VBO22-16NO8相关器件

与VBO22-16NO8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？