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VBO21-06NO7

更新时间： 2024-11-06 21:16:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
1页	161K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 21A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-4

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VBO21-06NO7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PUFM-P4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.12 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-P4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	21 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	35
Base Number Matches：	1

VBO21-06NO7 数据手册

VBO 21

I_dAVM= 21 A

V_RRM= 600-1200 V

Single Phase

Rectifier Bridge

Preliminary data

V_RSM

V_RRM

Type

700

900

1300

600

800

1200

VBO 21-06NO7

VBO 21-08NO7

VBO 21-12NO7

Symbol

Test Conditions

T_C= 100°C, module

Maximum Ratings

Features

I_dAV

I_FSM

①

• Package with DCB ceramic

base plate

• Isolation voltage 3000 V~

• Planar passivated chips

• Low forward voltage drop

• Leads suitable for PC board soldering

T_VJ= 45°C;

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

100

106

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

A²s

Applications

• Supplies for DC power equipment

• Input rectifiers for PWM inverter

• Battery DC power supplies

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

A²s

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+125

°C

• Field supply for DC motors

Advantages

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

I_ISOL£ 1 mA t = 1 s

2500

3000

• Easy to mount with two screws

• Space and weight savings

• Improved temperature and power

cycling capability

M_d

Mounting torque (M4)

typ.

1.5 - 2

14 - 18 lb.in.

• Small and light weight

Weight

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Symbol

I_R

Test Conditions

Characteristic Values

V_R= V_RRM

;

T_VJ= 25°C

T_VJ= T_VJM

0.3 mA

1.12

0.8

V_F

I_F= 7 A;

T_VJ= 25°C

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

40 mW

R_thJC

per diode; DC current

per module

per diode, DC current

per module

2.3 K/W

0.58 K/W

2.8 K/W

0.7 K/W

R_thJH

d_S

d_A

Creeping distance on surface

Creepage distance in air

Max. allowable acceleration

11.2 mm

9.7 mm

50 m/s²

Data according to IEC 60747 refer to a single diode unless otherwise stated

① for resistive load at bridge output.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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与VBO21-06NO7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VBO21-08NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 21A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, ECOPAC-4
VBO21-08NO7	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO21-12NO7	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO22	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO22-08NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 21A, 800V V(RRM), Silicon
VBO22-08NO8	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 21A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, MODULE-4
VBO22-08NO8	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO22-12NO8	IXYS	获取价格	Single Phase Rectifier Bridge
VBO22-12NO8	LITTELFUSE	获取价格	采用各种封装的二极管，用于1相桥配置中的主整流。
VBO22-14NO7	IXYS	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 21A, 1400V V(RRM), Silicon

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