5秒后页面跳转
V968EBCO PDF预览

V968EBCO

更新时间: 2024-02-10 11:04:15
品牌 Logo 应用领域
艾法斯 - AEROFLEX 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 32K
描述
68pF, 33V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DIE-1

V968EBCO 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.28
其他特性:ULTRA-LOW LEAKAGE最小击穿电压:33 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管电容容差:5%标称二极管电容:68 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

V968EBCO 数据手册

  

与V968EBCO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V968EC AEROFLEX

获取价格

68pF, 33V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
V968ECCO AEROFLEX

获取价格

Variable Capacitance Diode, 68pF C(T), 33V, Silicon, DIE-1
V968ECO AEROFLEX

获取价格

68pF, 33V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DIE-1
V968ED AEROFLEX

获取价格

Variable Capacitance Diode, 68pF C(T), 33V, Silicon, Abrupt, DO-7
V968EDCO AEROFLEX

获取价格

68pF, 33V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DIE-1
V96BMC ETC

获取价格

HIGH PERFORMANCE BURST DRAM CONTROLLER FOR i960Cx/Hx/Jx PROCESSORS
V96BMC-16 ETC

获取价格

DRAM Controller
V96BMC-25 ETC

获取价格

DRAM Controller
V96BMC-25LP ETC

获取价格

DRAM Controller
V96BMC-33 ETC

获取价格

DRAM Controller