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V933ED

更新时间: 2024-11-24 20:00:23
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艾法斯 - AEROFLEX 二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
1页 24K
描述
33pF, 66V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7

V933ED 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.06其他特性:ULTRA-LOW LEAKAGE
最小击穿电压:66 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管电容容差:1%
标称二极管电容:33 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:66 V最大反向电流:5e-9 µA
反向测试电压:60 V子类别:Varactors
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED变容二极管分类:ABRUPT
Base Number Matches:1

V933ED 数据手册

  

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