Datasheet > V62/18616-01XE

V62/18616-01XE

更新时间： 2024-11-19 11:12:31

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		稳压器
页数	文件大小	规格书
31页	2269K
描述
采用塑料封装的耐辐射、2.2V 至 20V 输入、1A 可调节 LDO 稳压器 \| DCQ \| 6 \| -55 to 125

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

V62/18616-01XE 数据手册

TPS73801-SEP

ZHCSJ39A –DECEMBER 2018 –REVISED MAY 2021

TPS73801-SEP 1A 采用增强型航天塑料的

低噪声快速瞬态响应低压降稳压器

1 特性

2 应用

• VID V62/18616

• 耐辐射

• 支持近地轨道(LEO) 航天应用

• 用于射频、VCO、接收器和放大器的耐辐射低噪声

线性稳压器电源

• 洁净模拟电源要求

– SEL、SEB 和SEGR 对于

LET 的抗扰度高达43MeV-cm²/mg

– SET 和SEFI 的

• 航天卫星有效载荷

• 命令和数据处理(C&DH)

• 光学成像有效载荷

• 雷达成像有效载荷

LET 特征值高达43MeV-cm²/mg

– 每个晶圆批次的保障TID 高达

20krad(Si)

• 卫星电力系统(EPS)

– TID 特征值高达50krad(Si)

• 增强型航天塑料

3 说明

– Au 键合线和NiPdAu 铅涂层

– 采用增强型塑封实现低释气

– 制造、组装和测试一体化基地

– 延长了产品生命周期

– 延长了产品变更通知周期

– 产品可追溯性

TPS73801-SEP 是一款针对快速瞬态响应进行了优化

的低压降 (LDO) 稳压器。该器件可提高 1A 的输出电

流（压降为 300mV）。工作静态电流为 1mA，在关断

时下降至小于 1µA。与许多其他稳压器相比，静态电

流受到很好的控制，在压降时不上升。除了快速瞬态响

应，TPS73801-SEP 稳压器还有很低的输出噪声，因

此非常适合灵敏射频电源应用。

• 针对快速瞬态响应进行了优化

• 输出电流：1A

• 压降电压：300mV

输出电压范围是 1.21V 至 20V，与低至 10µF 的输出

电容器搭配使用时可保持稳定。使用小型陶瓷电容器可

无需额外的 ESR。内部保护电路包括反向电池保护、

电流限制、热限制和反向电流保护。TPS73801-SEP

稳压器可采用 6 引脚 TO-223 (DCQ) 封装，提供可调

的1.21V 基准电压。

• 低噪声：45μV_RMS（10Hz 至100kHz）

• 1mA 静态电流

• 无需保护二极管

• 压降中的受控静态电流

• 可调节输出电压：1.21V 至20V

• 关断模式下静态电流小于1µA

• 与10µF 输出电容器搭配使用时可保持稳定

• 与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定

• 反向电池保护

器件信息

器件型号⁽¹⁾

等级

封装

TPS73801MDCQTPSEP

TPS73801MDCQPSEP

SOT-223 (6)

6.55mm × 7.26mm

质量= 119.8mg⁽²⁾

20krad(Si)

RLAT

• 无反向电流

• 热限制

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

V_OUT

OUT

录。

(2) 质量误差在±10% 以内。

V_IN

TPS73801-SEP

GND

简化版原理图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLVSER5

12 3 4 5 6 7...31

中文翻译

下载PDF

与V62/18616-01XE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V62/18616-01XE-T	TI	获取价格	采用塑料封装的耐辐射、2.2V 至 20V 输入、1A 可调节 LDO 稳压器 \| DCQ
V62/18617-01XE	TI	获取价格	采用增强型航天塑料封装且具有待机模式的耐辐射加固保障 3.3V CAN 收发器 \| D \|
V62/18617-01XE-T	TI	获取价格	采用增强型航天塑料封装且具有待机模式的耐辐射加固保障 3.3V CAN 收发器 \| D \|
V62/18621-01XF	TI	获取价格	基于 Arm® Cortex®-R 内核的航天级 Hercules™ 微控制器（增强型产品
V62/18622-01XE	TI	获取价格	增强型产品 2.5V 低温漂、低功耗串联电压基准 \| DBV \| 6 \| -55 to 1
V62/18622-02XE	TI	获取价格	增强型产品 4.1V 低温漂、低功耗串联电压基准 \| DBV \| 6 \| -55 to 1
V62/18622-03XE	TI	获取价格	增强型产品 3V 低温漂、低功耗、小型串联电压基准 \| DBV \| 6 \| -55 to
V62/18622-04XE	TI	获取价格	增强型产品 3.3V 低温漂、低功耗、小型串联电压基准 \| DBV \| 6 \| -55 t
V62/19602-01XE	TI	获取价格	采用塑料封装的耐辐射 40V 可调节电压监控器 \| PW \| 8 \| -55 to 125
V62/19602-01XE-T	TI	获取价格	采用塑料封装的耐辐射 40V 可调节电压监控器 \| PW \| 8 \| -55 to 125

与V62/18616-01XE相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

V62/18616-01XE

V62/18616-01XE 数据手册

与V62/18616-01XE相关器件

与V62/18616-01XE相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

V62/18616-01XE

V62/18616-01XE 数据手册

与V62/18616-01XE相关器件

与V62/18616-01XE相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？