5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | TSSOP, |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 5.76 | 放大器类型： | COMPARATOR |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.015 µA | 最大输入失调电压： | 5500 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G14 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 5 mm | 湿度敏感等级： | 2 |
| 功能数量： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出类型： | OPEN-COLLECTOR | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 标称响应时间： | 560 ns |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 子类别： | Comparator |
| 供电电压上限： | 40 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 4.4 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V62/18615-01XE | TI |
获取价格 |
采用增强型航天塑料、具有增强的 PWM 抑制能力的 -4V 至 80V、超精密电流感应放大 |
|
| V62/18615-01XE-T | TI |
获取价格 |
采用增强型航天塑料、具有增强的 PWM 抑制能力的 -4V 至 80V、超精密电流感应放大 |
|
| V62/18616-01XE | TI |
获取价格 |
采用塑料封装的耐辐射、2.2V 至 20V 输入、1A 可调节 LDO 稳压器 | DCQ |
|
| V62/18616-01XE-T | TI |
获取价格 |
采用塑料封装的耐辐射、2.2V 至 20V 输入、1A 可调节 LDO 稳压器 | DCQ |
|
| V62/18617-01XE | TI |
获取价格 |
采用增强型航天塑料封装且具有待机模式的耐辐射加固保障 3.3V CAN 收发器 | D | |
|
| V62/18617-01XE-T | TI |
获取价格 |
采用增强型航天塑料封装且具有待机模式的耐辐射加固保障 3.3V CAN 收发器 | D | |
|
| V62/18621-01XF | TI |
获取价格 |
基于 Arm® Cortex®-R 内核的航天级 Hercules™ 微控制器（增强型产品 |
|
| V62/18622-01XE | TI |
获取价格 |
增强型产品 2.5V 低温漂、低功耗串联电压基准 | DBV | 6 | -55 to 1 |
|
| V62/18622-02XE | TI |
获取价格 |
增强型产品 4.1V 低温漂、低功耗串联电压基准 | DBV | 6 | -55 to 1 |
|
| V62/18622-03XE | TI |
获取价格 |
增强型产品 3V 低温漂、低功耗、小型串联电压基准 | DBV | 6 | -55 to |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
