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V62/18613-01XE

更新时间： 2024-11-19 11:11:07

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		放大器光电二极管比较器
页数	文件大小	规格书
23页	1652K
描述
采用增强型航天塑料的 2.2V 至 36V 耐辐射微功耗四路比较器 \| PW \| 14 \| -55 to 125

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V62/18613-01XE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TSSOP-14
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	5.22	放大器类型：	COMPARATOR
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.015 µA	最大输入失调电压：	5500 µV
JESD-30 代码：	R-PDSO-G14	JESD-609代码：	e4
长度：	5 mm	湿度敏感等级：	2
功能数量：	4	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
输出类型：	OPEN-COLLECTOR	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	标称响应时间：	560 ns
座面最大高度：	1.2 mm	子类别：	Comparator
供电电压上限：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	BIPOLAR	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	4.4 mm	Base Number Matches：	1

V62/18613-01XE 数据手册

TLV1704-SEP

ZHCSJ09A –NOVEMBER 2018 –REVISED NOVEMBER 2022

TLV1704-SEP 采用增强型航天塑料的2.2V 至36V 耐辐射微功耗

四路比较器

1 特性

2 应用

• VID V62/18613

• 耐辐射

• 命令和数据处理(C&DH)

• 飞行器驾驶舱显示屏

• 飞行控制单元

– 单粒子闩锁(SEL) 在125°C 下的抗扰度可达

43MeV-cm²/mg

• 卫星电力系统(EPS)

– 在30 krad(Si) 的条件下无ELDRS

– 每个晶圆批次的RLAT 总电离剂量(TID) 高达

20krad(Si)

3 说明

TLV1704-SEP（四路）器件具有宽电源电压范围、轨

到轨输入、低静态电流和低传播延迟。凭借符合行业标

准且在极小型封装内集成的上述特性，此类器件成为当

前市场中的最佳通用比较器。

• 增强型航天塑料

– 受控基线

– 金线

– NiPdAu 铅涂层

– 一个组装和测试基地

– 一个制造基地

– 支持军用（–55°C 至125°C）温度范围

– 延长了产品生命周期

– 延长了产品变更通知

– 产品可追溯性

集电极开路输出带来了能够将输出拉至任意电压轨（最

多可高出负电源 36V）且不受 TLV1704-SEP 电源电压

影响的优势。

此器件是一款微功耗比较器。低输入失调电压、低输入

偏置电流、低电源电流和集电极开路配置使 TLV1704-

SEP 器件能够灵活处理从简单电压检测到驱动单个继

电器的大部分应用。

– 采用增强型模塑化合物实现低释气

• 电源电压范围：2.2V 至36V 或±1.1V 至±18V

• 低静态电流：每个比较器55µA

• 输入共模范围包括两个电源轨

• 低传播延迟：560ns

• 低输入失调电压：300µV

• 集电极开路输出：

器件信息

等级⁽¹⁾

器件型号

封装

TLV1704AMPWTPSEP

TLV1704AMPWPSEP

20krad(Si) RLAT

TSSOP (14)

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。

– 最多可高出负电源电压36V 且不受电源电压影

响

• 小型封装：

– 四通道：TSSOP-14

1200

ê18 V Low-to-High

ê18 V High-to-Low

2.2 V Low-to-High

1000

2.2 V High-to-Low

800

600

400

200

-55

-35

-15

105 125

Temperature (èC)

D001

稳定传播延迟与温度

TLV1704-SEP 用作窗口比较器

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLOSE29

12 3 4 5 6 7...23

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与V62/18613-01XE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V62/18613-01XE-T	TI	获取价格	采用增强型航天塑料的 2.2V 至 36V 耐辐射微功耗四路比较器 \| PW \| 14 \|
V62/18615-01XE	TI	获取价格	采用增强型航天塑料、具有增强的 PWM 抑制能力的 -4V 至 80V、超精密电流感应放大
V62/18615-01XE-T	TI	获取价格	采用增强型航天塑料、具有增强的 PWM 抑制能力的 -4V 至 80V、超精密电流感应放大
V62/18616-01XE	TI	获取价格	采用塑料封装的耐辐射、2.2V 至 20V 输入、1A 可调节 LDO 稳压器 \| DCQ
V62/18616-01XE-T	TI	获取价格	采用塑料封装的耐辐射、2.2V 至 20V 输入、1A 可调节 LDO 稳压器 \| DCQ
V62/18617-01XE	TI	获取价格	采用增强型航天塑料封装且具有待机模式的耐辐射加固保障 3.3V CAN 收发器 \| D \|
V62/18617-01XE-T	TI	获取价格	采用增强型航天塑料封装且具有待机模式的耐辐射加固保障 3.3V CAN 收发器 \| D \|
V62/18621-01XF	TI	获取价格	基于 Arm® Cortex®-R 内核的航天级 Hercules™ 微控制器（增强型产品
V62/18622-01XE	TI	获取价格	增强型产品 2.5V 低温漂、低功耗串联电压基准 \| DBV \| 6 \| -55 to 1
V62/18622-02XE	TI	获取价格	增强型产品 4.1V 低温漂、低功耗串联电压基准 \| DBV \| 6 \| -55 to 1

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