是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 1.71 | 控制类型: | ENABLE HIGH |
计数方向: | UNIDIRECTIONAL | 系列: | LVC/LCX/Z |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 2.3 mm | 逻辑集成电路类型: | BUS DRIVER |
最大I(ol): | 0.032 A | 湿度敏感等级: | 1 |
位数: | 1 | 功能数量: | 2 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
输出特性: | 3-STATE | 输出极性: | TRUE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VSSOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
包装方法: | TR | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大电源电流(ICC): | 0.01 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup: | 6.8 ns |
传播延迟(tpd): | 15.2 ns | 座面最大高度: | 0.9 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 翻译: | N/A |
宽度: | 2 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V62/14605-01XE | TI |
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具有三态输出的增强型产品单路 2V 至 5.5V 缓冲器 | DCK | 5 | -55 |
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V62/14606-01XE | TI |
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双路 FET 总线开关、2.5V/3.3V、低压高带宽总线开关 | PW | 8 | -5 |
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V62/14606-01XE-T | TI |
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双路 FET 总线开关、2.5V/3.3V、低压高带宽总线开关 | PW | 8 | -5 |
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V62/14608-02YE | TI |
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具有 256KB 闪存、16KB SRAM、12 位 ADC、DMA、UART/SPI/I |
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V62/14609-01XE | TI |
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双通道、14 位、125MSPS 模数转换器 (ADC) - 增强型产品 | RGC | |
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V62/14610-01XE | TI |
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低功耗单电源宽带运算放大器 | DBV | 5 | -40 to 105 |
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V62/14611-01XE | TI |
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增强型集成式 5A、40V 宽输入范围升压/SEPIC/反激式直流/直流稳压器 | RTE |
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V62/14612-01XE | TI |
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2.95V 到 6V 输入、3.5A 输出、2MHz 同步降压开关 | RTE | 16 |
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V62/14613-01XE | TI |
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具有非易失性存储器的 256 抽头双通道数字电位计 | PW | 14 | -40 to |
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V62/14614-01XE | TI |
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增强型产品高精密运算放大器 | D | 8 | -55 to 125 |
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