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V62/14601-01XE

更新时间： 2024-11-05 11:12:55

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
34页	1813K
描述
数字双路同步降压功率驱动器，UCD7242-EP \| RSJ \| 32 \| -55 to 125

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V62/14601-01XE 数据手册

UCD7242-EP

www.ti.com.cn

ZHCSBS3 –OCTOBER 2013

数字双路同步降压功率驱动器

查询样片: UCD7242-EP

特性

•

具有针对双路同步降压转换器的驱动器的全集成电

源开关

支持国防、航空航天、和医疗应用

•

受控基线

同一组装和测试场所

一个制造场所

完全兼容 TI 整合数字电源 (Fusion Digital Power)

控制器，如 UCD92xx 系列

•

宽输入电压范围：4.75V 至 18V

运行低至具有一个外部偏置电源的 2.2V 输入

每通道高达 10A 输出电流

支持军用（-55°C 至 125°C）温度范围

延长的产品生命周期

•

延长的产品变更通知

工作开关频率 2 MHz

产品可追溯性

具有电流限值标记的高侧电流限值

来自 V_IN的板载经稳压 6V 驱动器电源

过热保护

MON

PWM-B

SRE-B

FLT-B

PWM-A

SRE-A

FLT-A

热感测输出 - 电压与芯片温度成比例

欠压闭锁 (UVLO) 和过压闭锁 (OVLO) 确保适当的

驱动电压

DIS

•

符合 RoHS 环保标准

-A

-B

MON

精确的芯片上电流感测 (±5%)

BST-A

BST-B

应用范围

BSW-A

SW-A

BSW-B

SW-B

•

数控同步降压功率级

针对台式机、服务器、电信和笔记本处理器的高电

流双相位电压调整模块和企业级降压稳压器

(VRM/EVRD) 稳压器

PGND

GND BP3

说明

UCD7242 是一款可驱动两个独立降压电源的完整电源系统（请见图 1）。在一个单片解决方案中完全集成高侧金

属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，低侧 MOSFET，驱动器，电流感测电路以及必要的保护功能，以最大

限度地减小尺寸和提高效率。驱动器电路可在同步降压电路中为高侧 NMOS 开关和低侧 NMOS 同步整流器提供

高充电及放电电流。 MOSFET 栅极可由内部经稳压 V_GG电源驱动至 +6.25V 电压。可禁用内部 V_GG稳压器，以

允许用户提供一个独立的栅极驱动电压。这种高灵活性支持 2.2V 至 18V 宽电源转换输入电压范围。内部欠压闭锁

(UVLO) 逻辑可在允许芯片工作之前确保 V_GG良好。

Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of

Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.

PRODUCTION DATA information is current as of publication date.

Products conform to specifications per the terms of the Texas

Instruments standard warranty. Production processing does not

necessarily include testing of all parameters.

English Data Sheet: SLVSBY2

12 3 4 5 6 7...34

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V62/14606-01XE	TI	获取价格	双路 FET 总线开关、2.5V/3.3V、低压高带宽总线开关 \| PW \| 8 \| -5
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