是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFN |
包装说明: | HVQCCN, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.31.00.01 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 5.75 |
具有ADC: | YES | 其他特性: | ALSO OPERATES AT 6 MHZ AT 1.8V MIN SUPPLY |
地址总线宽度: | 位大小: | 16 | |
最大时钟频率: | 16 MHz | DAC 通道: | NO |
DMA 通道: | NO | 外部数据总线宽度: | |
JESD-30 代码: | S-PQCC-N32 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 5 mm | 湿度敏感等级: | 2 |
I/O 线路数量: | 24 | 端子数量: | 32 |
片上程序ROM宽度: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | PWM 通道: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | HVQCCN |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | RAM(字节): | 512 |
ROM(单词): | 8192 | ROM可编程性: | FLASH |
座面最大高度: | 1 mm | 速度: | 16 MHz |
最大供电电压: | 3.6 V | 最小供电电压: | 1.8 V |
标称供电电压: | 2.7 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 5 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型: | MICROCONTROLLER, RISC | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V62/13624-01XE-R | TI |
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增强型产品 16 位超低功耗微控制器、8KB 闪存、512B RAM、10 位 ADC、1 |
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V62/13628-01XE | TI |
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混合信号微控制器,MSP430F5328-EP | RGC | 64 | -40 to 1 |
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V62/13629-01XE | TI |
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增强型产品 16/32 位 RISC 闪存 Arm Cortex-R4F、EMAC、Fle |
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V62/13629-02XE | TI |
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增强型产品 16/32 位 RISC 闪存 Arm Cortex-R4F、EMAC、Fle |
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V62/14601-01XE | TI |
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数字双路同步降压功率驱动器,UCD7242-EP | RSJ | 32 | -55 to |
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V62/14602-01XE | TI |
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具有 2A 开关电流的高输入电压降压/升压转换器 | DSC | 10 | -55 to |
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V62/14603-01XE | TI |
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支持 4 位、6 位或 8 位 VID 的数字 PWM 系统控制器 | RGC | 64 |
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V62/14604-01XE | TI |
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具有三态输出的增强型产品 2 通道、1.65V 至 5.5V 缓冲器 | DCU | 8 |
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V62/14605-01XE | TI |
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具有三态输出的增强型产品单路 2V 至 5.5V 缓冲器 | DCK | 5 | -55 |
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V62/14606-01XE | TI |
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双路 FET 总线开关、2.5V/3.3V、低压高带宽总线开关 | PW | 8 | -5 |
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