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V40100K-E3/4W PDF预览

V40100K-E3/4W

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 131K
描述
DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, Rectifier Diode

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V40100K-E3/4W 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.22
其他特性：FREEWHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.67 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

V40100K-E3/4W 数据手册

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New Product  
V40100K  
Vishay General Semiconductor  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
FEATURES  
TMBS®  
TO-220AB  
• 150 °C high performance Schottky diode  
• Very low forward voltage drop  
• Optimized V vs. I trade off for high  
F
R
efficiency  
• Increased ruggedness for reverse avalanche  
capability  
3
2
1
• Negligible switching losses  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,  
per JESD 22-B106  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
2 x 20 A  
MECHANICAL DATA  
100 V  
250 A  
Case: TO-220AB  
Typical VF at IF = 20 A  
at TJ = 125 °C  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
0.63 V  
150 °C  
TJ max.  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency converters, high efficiency  
SMPS, output rectification, freewheeling, reverse  
battery protection, dc-to-dc system and increased  
power density systems.  
Marking: V40100K  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
V40100K  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
100  
V
per device  
per diode  
40  
20  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
250  
67.5  
1.0  
Non-repetitive avalanche energy  
at TJ = 25 °C, IAS = 1.5 A, L = 60 mH per diode  
EAS  
mJ  
A
Peak repetitive reverse current at tp = 2 µs, 1 kHz,  
TJ = 38 °C 2 °C per diode  
IRRM  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 40 to + 150  
Document Number: 89121  
Revision: 25-Jun-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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V40100K-E3/4W 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTST40100CTG ONSEMI

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 Schottky Power Rectifier, Dual, 40 A, 100 V
V40100CHM3/4W VISHAY

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V40100C-E3/4W VISHAY

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 Dual High-Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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