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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.51 |
| 其他特性： | LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.385 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 250 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -20 °C |
| 最大输出电流： | 30 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| V30100S-E3/45 | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A |
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| V30100S-E3/4W | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V30100S-E3-4W | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V30100SG | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A |
|
| V30100SG_11 | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
|
| V30100SG-E3 | VISHAY |
获取价格 |
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A |
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| V30100SG-E3/4W | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A |
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| V30100SGHM3-4W | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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| V30100SG-M3/4W | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL |
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| V30100SG-M3-4W | VISHAY |
获取价格 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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